Descripción
El IRF740 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y potencia. Ofrece alta eficiencia y una baja resistencia entre drenaje y fuente (Rds On), lo que lo hace ideal para manejar corrientes elevadas en equipos electrónicos. Este dispositivo está fabricado con tecnología de óxido metálico de silicio (MOSFET) y encapsulado en formato TO-220-3 para montaje a través de orificio.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS |
• Categoría: Transistor MOSFET (N-Channel) • Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 400 V • Id - Corriente de drenaje continua: 10 A • Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 550 mOhms • Vgs - Tensión entre puerta y fuente: -20 V a +20 V • Temperatura de operación: -65 °C a +150 °C • Dp - Disipación de potencia: 125 W • Tiempo de subida: 10 ns • Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns • Transconductancia hacia adelante mínima: 4 S • Empaquetado: Tube • Encapsulado: TO-220-3 |
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CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES |
• Diseño robusto para aplicaciones de alta potencia • Baja resistencia Rds On para mayor eficiencia • Alta capacidad de manejo de corriente • Compatible con circuitos de conmutación y amplificación • Montaje a través de orificio para mayor estabilidad térmica • Configuración de un solo canal |
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APLICACIONES |
• Fuentes de alimentación conmutadas • Controladores de motores y convertidores de potencia • Equipos industriales de alta potencia • Sistemas de iluminación y energías renovables • Conmutación en circuitos de alta frecuencia |
IRF740 Transistor MOSFET Canal N 400V 10A TO-220-3
$ 10.00
