Transistor IGBT MBQ60T65PES TO-247 Potencia 650V 60A
El transistor IGBT MBQ60T65PES en encapsulado TO-247 es un dispositivo de potencia de 650 V y 60 A ideal para fuentes conmutadas, inversores, UPS, soldadores y sistemas PFC. Su tecnología de...
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El transistor IGBT MBQ60T65PES en encapsulado TO-247 es un dispositivo de potencia de 650 V y 60 A ideal para fuentes conmutadas, inversores, UPS, soldadores y sistemas PFC. Su tecnología de IGBT de última generación ofrece bajas pérdidas y conmutación rápida, mejorando la eficiencia, reduciendo la generación de calor y aumentando la confiabilidad del equipo. El formato TO-247 facilita el montaje en disipadores de calor, permitiendo manejar altos niveles de potencia en aplicaciones profesionales e industriales.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS |
• Tipo: Transistor IGBT de potencia, canal N • Tecnología: Field-Stop Trench IGBT • Encapsulado: TO-247AB-3 • Voltaje colector-emisor máximo (VCE): 650 V • Corriente de colector continua: 60 A @ TC = 100 °C • Corriente de colector máxima: hasta 100 A @ TC = 25 °C • Corriente pulsada máxima: 180 A (tamaño de pulso limitado) • Voltaje puerta-emisor máximo (VGE): ± 20 V • Voltaje de saturación colector-emisor típico (VCE(sat)): ≈ 1.85 V @ IC = 60 A, 25 °C • Potencia de disipación: aprox. 535 W @ TC = 25 °C • Rango de temperatura de operación de la unión: –40 °C a +175 °C |
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CARACTERÍSTICAS |
• Alta velocidad de conmutación, ideal para fuentes conmutadas, inversores y etapas PFC • Bajas pérdidas de conducción y de conmutación para mayor eficiencia energética • Alta impedancia de entrada, compatible con la mayoría de drivers de puerta para IGBT • Excelente comportamiento térmico y capacidad de operación hasta 175 °C • Adecuado para aplicaciones de potencia como inversores solares, UPS, soldadoras, cocinas de inducción y equipos industriales • Encapsulado TO-247 que facilita la fijación a disipadores y mejora la disipación de calor • Dimensiones y peso: 40.80 mm × 15.84 mm × 5.2 mm; ~6 g |
